沟道电阻对于mosfet的哪些特性影响！详细

解释 沟道电阻对于MOSFET的影响主要有三个方面： 1、沟道电阻影响MOSFET的开关特性。沟道电阻是MOSFET在关断时的一种内部耗散，它会减少MOSFET在关断时的可用能量，从而使MOSFET在开关时更容易失效。因此，减少沟道电阻可以改善MOSFET的开关特性。 2、沟道电阻影响了功率输出能力。随着沟道电阻的增大，功率输出能力也会降低。因此，如果要让MOSFET发挥最大的功率输出能力，应该尽量将沟道电阻保持得尽可能低。 3、正向导通特性也会受到影响。随着沟道电阻的升高，正向导通饱和度也会降低。这意味着如果想要保证MOSFET有良好的正向导通特性（即快速上升/下降时间以及低VGS(on) ）, 就必须将Rdson 保存得尽量低.